中國(guó)功率器件領(lǐng)路人陳星弼院士去世 享年89歲

　　陳星弼生平簡(jiǎn)介：

　　陳星弼1931年1月28日出生于上海，1952年從同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系畢業(yè)后，先后在廈門大學(xué)、東南大學(xué)和成都電訊工程學(xué)院(現(xiàn)電子科技大學(xué))工作。

　　1980年，他被派往美國(guó)俄亥俄州大學(xué)做訪問(wèn)學(xué)者，于1981年初轉(zhuǎn)到加州大學(xué)伯克利點(diǎn)校，開(kāi)始進(jìn)行新型半導(dǎo)體功率器件的研究。1983年回國(guó)后被選為系主任，不久建立了微電子研究所。他以MOS型功率器件為主要研究方向。在他率領(lǐng)下，在中國(guó)首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并開(kāi)發(fā)了相關(guān)技術(shù)。

　　陳星弼院士因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)獲得第二十七屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)(IEEE ISPSD 2015)頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學(xué)家。

　　他1999年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士，2019年當(dāng)選為國(guó)際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)終身會(huì)士。